MoO3ドープ酸化タングステン薄膜は、超高真空電子ビーム蒸著裝置を用いた電子ビーム蒸著法により作製できる。具體的な手順は以下のとおりである。
蒸著源は、分析グレードの酸化タングステン粉末に、分析グレードのMoO3粉末を2.5重量%および5重量%ドープしたものを、直徑8mmの小型円筒狀に成形したものである?；澶稀ⅴ珐`ト抵抗約60ΩのITO導(dǎo)電膜を成膜したガラスである。蒸著前の真空度は3 × 10?3 Pa以下、蒸著中の基板溫度は約50℃、蒸著速度は約2.5 nm/分です。得られたサンプルは、ボックス爐で350℃、1時間アニール処理されます。
詳細については、以下をご覧ください。
http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html
さらに、専門家は、変色実験を通して、MoO?ドーピング濃度が酸化タングステン薄膜の電気変色特性に及ぼす影響を調(diào)査しました。色変化実験は、0.05M H2SO4溶液を電解質(zhì)として、厚さ0.3mmのモリブデンシートを?qū)潣Oとして用いた2電極定電圧電気化學(xué)セルで行われた。ドープされた酸化タングステン膜の透過スペクトルは、722回折格子分光光度計を用いて測定した。膜厚はTP-3エリプソメトリーを用いて測定し、約250nmであることがわかった。
